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SISF20DN-T1-GE3
| Hersteller: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | SISF20DN-T1-GE3 |
| Beschreibung: | MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Vishay / Siliconix |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| FET-Funktion | Standard |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8SCD |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 13mOhm @ 7A, 10V |
| Lieferanten-Gerätepaket | PowerPAK® 1212-8SCD |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 33nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1290pF @ 30V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 14A (Ta), 52A (Tc) |
Auf Lager 50 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.56 | $1.53 | $1.50 |
Minimale: 1
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