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SIS990DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SIS990DN-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 25W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 85mOhm @ 8A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® 1212-8 Dual
Gate Charge (Qg) (Max.) 8nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 250pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12.1A

Auf Lager 56 pcs

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