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SIS606BDN-T1-GE3
| Hersteller: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | SIS606BDN-T1-GE3 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Vishay / Siliconix |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 17.4mOhm @ 10A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | PowerPAK® 1212-8 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 30nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1470pF @ 50V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 9.4A (Ta), 35.3A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
Auf Lager 6000 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.46 | $1.43 | $1.40 |
Minimale: 1
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