Image is for reference only , details as Specifications

SIS429DNT-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SIS429DNT-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 20A POWERPAK1212
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 21mOhm @ 10.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 27.8W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 50nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1350pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 99 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.13 $0.13 $0.12
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

DMN1008UFDF-7
Diodes Incorporated
$0.13
DMN3020UFDF-13
Diodes Incorporated
$0.13
RRQ020P03TCR
ROHM Semiconductor
$0.13
AO4566
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0.13
PMV65ENEAR
Nexperia USA Inc.
$0