SIRA60DP-T1-RE3
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | SIRA60DP-T1-RE3 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Vishay / Siliconix |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchFET® Gen IV |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | +20V, -16V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 0.94mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 57W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PowerPAK® SO-8 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 125nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 7650pF @ 15V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 100A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 67 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.57 | $0.56 | $0.55 |
Minimale: 1