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SIR878BDP-T1-RE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SIR878BDP-T1-RE3
Beschreibung: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET® Gen IV
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 14.4mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (Max.) 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 38nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1850pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12A (Ta), 42.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V

Auf Lager 5676 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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