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SIR492DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SIR492DP-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 110nC @ 8V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3720pF @ 6V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

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