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SIR170DP-T1-RE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SIR170DP-T1-RE3
Beschreibung: MOSFET N-CH 100 V PWRPAK SO-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET® Gen IV
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4.8mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (Max.) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 140nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 6195pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 50 pcs

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