Image is for reference only , details as Specifications

SIR120DP-T1-RE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SIR120DP-T1-RE3
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V PP SO-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET® Gen IV
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.55mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (Max.) 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 94nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4150pF @ 40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 24.7A (Ta), 106A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V

Auf Lager 50 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.67 $1.64 $1.60
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

STD30NF03LT4
STMicroelectronics
$0
RJK0391DPA-00#J5A
Renesas Electronics America
$0
RCJ100N25TL
ROHM Semiconductor
$1.73
FDS4675-F085
ON Semiconductor
$0
BUK9609-75A,118
Nexperia USA Inc.
$1.09