Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

SIHH180N60E-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SIHH180N60E-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH PPAK 8X8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie E
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 180mOhm @ 9.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 114W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® 8 x 8
Gate Charge (Qg) (Max.) 33nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1085pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 90 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

STW19NM60N
STMicroelectronics
$2.4
FCPF7N60NT
ON Semiconductor
$2.38
IPAN80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
$2.37
STW25N60M2-EP
STMicroelectronics
$2.35
STW26N60M2
STMicroelectronics
$2.37