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SIHG33N65E-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SIHG33N65E-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 105mOhm @ 16.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 313W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247AC
Gate Charge (Qg) (Max.) 173nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4040pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 32.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 868 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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