Image is for reference only , details as Specifications

SIHG33N60E-E3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SIHG33N60E-E3
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie E
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 99mOhm @ 16.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 278W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247AC
Gate Charge (Qg) (Max.) 150nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3508pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 33A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 76 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.93 $3.85 $3.77
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IPI051N15N5AKSA1
Infineon Technologies
$3.92
FDP2D3N10C
ON Semiconductor
$3.93
IRFPC60PBF
Vishay / Siliconix
$3.91
TK16E60W,S1VX
Toshiba Semiconductor and Storage
$3.92
IRFPC50LCPBF
Vishay / Siliconix
$3.88