Image is for reference only , details as Specifications

SIHFS9N60A-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SIHFS9N60A-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 750mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 170W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-263 (D²Pak)
Gate Charge (Qg) (Max.) 49nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1400pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 81 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.00 $0.98 $0.96
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

FQB19N20TM
ON Semiconductor
$0
AUIRFU8405
Infineon Technologies
$1
FCP850N80Z
ON Semiconductor
$1
AOT418L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$1
RJK0655DPB-00#J5
Renesas Electronics America
$1