Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

SIHF35N60E-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SIHF35N60E-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie E
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 94mOhm @ 17A, 10V
Verlustleistung (Max.) 39W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220 Full Pack
Gate Charge (Qg) (Max.) 132nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2760pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 32A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 922 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$5.57 $5.46 $5.35
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

STW28N60DM2
STMicroelectronics
$5.48
IRFP4127PBF
Infineon Technologies
$5.48
IPI075N15N3GXKSA1
Infineon Technologies
$5.45
SIHP24N65E-E3
Vishay / Siliconix
$5.43
STP180N10F3
STMicroelectronics
$5.43