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SIHD240N60E-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SIHD240N60E-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie E
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 240mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 78W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D-PAK (TO-252AA)
Gate Charge (Qg) (Max.) 23nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 783pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 2926 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.43 $2.38 $2.33
Minimale: 1

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