Image is for reference only , details as Specifications
SIHD1K4N60E-GE3
| Hersteller: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | SIHD1K4N60E-GE3 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH DPAK TO-252 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Vishay / Siliconix |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | E |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Bulk |
| Vgs (Max.) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.45Ohm @ 500mA, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 63W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-252AA |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 7.5nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 172pF @ 100V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4.2A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 3015 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.11 | $1.09 | $1.07 |
Minimale: 1
Anforderungsangebot
Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Bargain Finds
