Image is for reference only , details as Specifications

SIHB22N60EF-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SIHB22N60EF-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V D2PAK TO-263
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie EF
FET-Typ N-Channel
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 182mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (Max.) 179W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D²PAK (TO-263)
Gate Charge (Qg) (Max.) 96nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1423pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 50 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.39 $3.32 $3.26
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

STP17NK40Z
STMicroelectronics
$3.36
SIHP186N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
$3.35
SIHP22N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
$3.33
SIHA22N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
$3.29
R6012JNXC7G
ROHM Semiconductor
$3.31