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SIHB12N60E-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SIHB12N60E-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO263
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Bulk
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 380mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (Max.) 147W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 58nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 937pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 146 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.98 $1.94 $1.90
Minimale: 1

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