SIHA2N80E-GE3
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | SIHA2N80E-GE3 |
Beschreibung: | MOSFET N-CHAN 800V TO-220 FULLPA |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Vishay / Siliconix |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | E |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 2.75Ohm @ 1A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 29W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-220 Full Pack |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 19.6nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 315pF @ 100V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2.8A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 31 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.57 | $1.54 | $1.51 |
Minimale: 1