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SIF912EDZ-T1-E3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SIF912EDZ-T1-E3
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 1.6W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® 2x5
Basis-Teilenummer SIF912E
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 19mOhm @ 7.4A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® (2x5)
Gate Charge (Qg) (Max.) 15nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. -
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7.4A

Auf Lager 88 pcs

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