Image is for reference only , details as Specifications
SIE836DF-T1-GE3
| Hersteller: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | SIE836DF-T1-GE3 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Vishay / Siliconix |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| Vgs (Max.) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 10-PolarPAK® (SH) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 130mOhm @ 4.1A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 10-PolarPAK® (SH) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 41nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1200pF @ 100V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 18.3A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 62 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
Anforderungsangebot
Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Bargain Finds
