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SIDR392DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SIDR392DP-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CHAN 30V
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET® Gen IV
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) +20V, -16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 0.62mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (Max.) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® SO-8DC
Gate Charge (Qg) (Max.) 188nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 9530pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 82A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 52 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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