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SIB912DK-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SIB912DK-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 3.1W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® SC-75-6L Dual
Basis-Teilenummer SIB912
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 216mOhm @ 1.8A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® SC-75-6L Dual
Gate Charge (Qg) (Max.) 3nC @ 8V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 95pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.5A

Auf Lager 2358 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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