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SIB417DK-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SIB417DK-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® SC-75-6L
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 52mOhm @ 5.6A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® SC-75-6L Single
Gate Charge (Qg) (Max.) 12.75nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 675pF @ 4V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V

Auf Lager 57 pcs

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