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SIA810DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SIA810DJ-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie LITTLE FOOT®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion Schottky Diode (Isolated)
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 53mOhm @ 3.7A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gate Charge (Qg) (Max.) 11.5nC @ 8V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 400pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

Auf Lager 86 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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