SIA778DJ-T1-GE3
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt: | SIA778DJ-T1-GE3 |
Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Vishay / Siliconix |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
Verpackung | Digi-Reel® |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Teilstatus | Obsolete |
Leistung - Max | 6.5W, 5W |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Basis-Teilenummer | SIA778 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 29mOhm @ 5A, 4.5V |
Lieferanten-Gerätepaket | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 15nC @ 8V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V, 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 500pF @ 6V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4.5A, 1.5A |
Auf Lager 874 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1