SIA467EDJ-T1-GE3
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | SIA467EDJ-T1-GE3 |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 12V 31A SC70-6 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Vishay / Siliconix |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | PowerPAK® SC-70-6 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 13mOhm @ 5A, 4.5V |
Verlustleistung (Max.) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 72nC @ 8V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2520pF @ 6V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 31A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Auf Lager 4 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1