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SIA459EDJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SIA459EDJ-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 9A SC70
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 35mOhm @ 5A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Single
Gate Charge (Qg) (Max.) 30nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 885pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

Auf Lager 17768 pcs

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