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SIA436DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SIA436DJ-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Single
Gate Charge (Qg) (Max.) 25.2nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1508pF @ 4V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V

Auf Lager 281 pcs

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