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SIA419DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SIA419DJ-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id 850mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 30mOhm @ 5.9A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Single
Gate Charge (Qg) (Max.) 29nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1500pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V

Auf Lager 82 pcs

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