Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

SIA413DJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SIA413DJ-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Single
Gate Charge (Qg) (Max.) 57nC @ 8V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1800pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V

Auf Lager 25065 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

ZVP0545GTA
Diodes Incorporated
$0.86
ZVN2110GTA
Diodes Incorporated
$0.85
IPD30N10S3L34ATMA1
Infineon Technologies
$0
STL8P4LLF6
STMicroelectronics
$0
SI7655ADN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0