SIA106DJ-T1-GE3
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | SIA106DJ-T1-GE3 |
Beschreibung: | MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Vishay / Siliconix |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchFET® Gen IV |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | PowerPAK® SC-70-6 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 18.5mOhm @ 4A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 13.5nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 540pF @ 30V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 10A (Ta), 12A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
Auf Lager 5970 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.86 | $0.84 | $0.83 |
Minimale: 1