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SI8902AEDB-T2-E1
| Hersteller: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | SI8902AEDB-T2-E1 |
| Beschreibung: | N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Vishay / Siliconix |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| FET-Funktion | Standard |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 5.7W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-UFBGA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 28mOhm @ 1A, 4.5V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 6-Micro Foot™ (1.5x1) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 24V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | - |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 11A |
Auf Lager 71 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.29 | $0.28 | $0.28 |
Minimale: 1
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