Image is for reference only , details as Specifications
SI8900EDB-T2-E1
| Hersteller: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | SI8900EDB-T2-E1 |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Vishay / Siliconix |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 1W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 10-UFBGA, CSPBGA |
| Basis-Teilenummer | SI8900 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1.1mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | 10-Micro Foot™ CSP (2x5) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | - |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 5.4A |
Auf Lager 73 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.46 | $1.43 | $1.40 |
Minimale: 1
Anforderungsangebot
Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Bargain Finds
