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SI8900EDB-T2-E1

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SI8900EDB-T2-E1
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Verpackung Tape & Reel (TR)
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 1W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 10-UFBGA, CSPBGA
Basis-Teilenummer SI8900
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1.1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs -
Lieferanten-Gerätepaket 10-Micro Foot™ CSP (2x5)
Gate Charge (Qg) (Max.) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. -
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5.4A

Auf Lager 73 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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