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SI8851EDB-T2-E1

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI8851EDB-T2-E1
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 30-XFBGA
Basis-Teilenummer SI8851
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 8mOhm @ 7A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 660mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket Power Micro Foot® (2.4x2)
Gate Charge (Qg) (Max.) 180nC @ 8V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 6900pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

Auf Lager 2467 pcs

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