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SI8816EDB-T2-E1

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI8816EDB-T2-E1
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 4-XFBGA
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 109mOhm @ 1A, 10V
Verlustleistung (Max.) 500mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 4-Microfoot
Gate Charge (Qg) (Max.) 8nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 195pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V

Auf Lager 71513 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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