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SI8809EDB-T2-E1
| Hersteller: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | SI8809EDB-T2-E1 |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Vishay / Siliconix |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | P-Channel |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max.) | ±8V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 4-XFBGA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 90mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Verlustleistung (Max.) | 500mW (Ta) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 4-Microfoot |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 15nC @ 8V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Auf Lager 65 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
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Minimale: 1
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