Image is for reference only , details as Specifications

SI8497DB-T2-E1

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI8497DB-T2-E1
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-UFBGA
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 53mOhm @ 1.5A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 6-microfoot
Gate Charge (Qg) (Max.) 49nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1320pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 13A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2V, 4.5V

Auf Lager 4998 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

NTTFS4C10NTAG
ON Semiconductor
$0
RQ6E030SPTR
ROHM Semiconductor
$0
RQ6E035TNTR
ROHM Semiconductor
$0
RQ5P010SNTL
ROHM Semiconductor
$0
BUK6D120-60PX
Nexperia USA Inc.
$0