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SI8467DB-T2-E1

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI8467DB-T2-E1
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 4-XFBGA, CSPBGA
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 73mOhm @ 1A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 4-Microfoot
Gate Charge (Qg) (Max.) 21nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 475pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

Auf Lager 89 pcs

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