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SI8416DB-T2-E1

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI8416DB-T2-E1
Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-UFBGA
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 23mOhm @ 1.5A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Gate Charge (Qg) (Max.) 26nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1470pF @ 4V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V

Auf Lager 2990 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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