SI8409DB-T1-E1
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | SI8409DB-T1-E1 |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Vishay / Siliconix |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 4-XFBGA, CSPBGA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 46mOhm @ 1A, 4.5V |
Verlustleistung (Max.) | 1.47W (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | 4-Microfoot |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 26nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4.6A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Auf Lager 9194 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1