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SI8409DB-T1-E1

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI8409DB-T1-E1
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 4-XFBGA, CSPBGA
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 46mOhm @ 1A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 1.47W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 4-Microfoot
Gate Charge (Qg) (Max.) 26nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

Auf Lager 9194 pcs

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