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SI7913DN-T1-E3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SI7913DN-T1-E3
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 1.3W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® 1212-8 Dual
Basis-Teilenummer SI7913
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 37mOhm @ 7.4A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® 1212-8 Dual
Gate Charge (Qg) (Max.) 24nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. -
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5A

Auf Lager 2996 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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