SI7888DP-T1-GE3
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | SI7888DP-T1-GE3 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Vishay / Siliconix |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 12mOhm @ 12.4A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 1.8W (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | PowerPAK® SO-8 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 10.5nC @ 5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 9.4A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 80 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1