Image is for reference only , details as Specifications

SI7190DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI7190DP-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 118mOhm @ 4.4A, 10V
Verlustleistung (Max.) 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 72nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2214pF @ 125V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 18.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 7526 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

PSMN0R7-25YLDX
Nexperia USA Inc.
$0
FQU17P06TU
ON Semiconductor
$0.89
IRFR210PBF
Vishay / Siliconix
$0.88
IPB100N04S4H2ATMA1
Infineon Technologies
$0
AOB240L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0