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SI7117DN-T1-E3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI7117DN-T1-E3
Beschreibung: MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 12nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 510pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.17A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 6527 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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