SI7113DN-T1-E3
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | SI7113DN-T1-E3 |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Vishay / Siliconix |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 134mOhm @ 4A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PowerPAK® 1212-8 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 55nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1480pF @ 50V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 13.2A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 4346 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$2.86 | $2.80 | $2.75 |
Minimale: 1