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SI5999EDU-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SI5999EDU-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 10.4W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® ChipFET™ Dual
Basis-Teilenummer SI5999
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 59mOhm @ 3.5A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® ChipFet Dual
Gate Charge (Qg) (Max.) 20nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 496pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6A

Auf Lager 95 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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