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SI5906DU-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SI5906DU-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 10.4W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® ChipFET™ Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 31mOhm @ 4.8A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® ChipFet Dual
Gate Charge (Qg) (Max.) 8.6nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 300pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6A

Auf Lager 94 pcs

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