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SI5855CDC-T1-E3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI5855CDC-T1-E3
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie LITTLE FOOT®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion Schottky Diode (Isolated)
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 144mOhm @ 2.5A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 1.3W (Ta), 2.8W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 1206-8 ChipFET™
Gate Charge (Qg) (Max.) 6.8nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 276pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

Auf Lager 58 pcs

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