SI5511DC-T1-E3
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt: | SI5511DC-T1-E3 |
Beschreibung: | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Vishay / Siliconix |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | N and P-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Teilstatus | Obsolete |
Leistung - Max | 3.1W, 2.6W |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
Basis-Teilenummer | SI5511 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 55mOhm @ 4.8A, 4.5V |
Lieferanten-Gerätepaket | 1206-8 ChipFET™ |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 7.1nC @ 5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 435pF @ 15V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4A, 3.6A |
Auf Lager 65 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1