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SI5511DC-T1-E3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SI5511DC-T1-E3
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
FET-Typ N and P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 3.1W, 2.6W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead
Basis-Teilenummer SI5511
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 55mOhm @ 4.8A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket 1206-8 ChipFET™
Gate Charge (Qg) (Max.) 7.1nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 435pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4A, 3.6A

Auf Lager 65 pcs

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